Unidad de estado sólido Samsung 850 Evo de 250 GB con formato M.2, interfaz SATA III y velocidad de 6 Gb/s

El Samsung MZ-N5E250BW es una unidad de estado sólido de 250GB diseñada para sistemas que utilizan la interfaz M.2 SATA III 6Gb/s. Ofrece una solución de almacenamiento fiable y eficiente para notebooks, ultrabooks y desktops donde el espacio es limitado pero el rendimiento es fundamental. Con velocidades de lectura secuencial de hasta 540 MB/s y de escritura de hasta 500 MB/s, este SSD acelera tareas cotidianas como el arranque del sistema, la apertura de aplicaciones y la transferencia de archivos.

Fabricado con la tecnología 3D V-NAND de Samsung, el disco proporciona una mayor densidad de almacenamiento y una durabilidad superior en comparación con la memoria flash NAND tradicional. La inclusión de una caché DRAM LPDDR3 de 512MB garantiza un manejo de datos más fluido y tiempos de acceso más rápidos, especialmente útil al realizar multitarea o trabajar con archivos pesados. El controlador MGX gestiona la energía de forma eficiente, reduciendo el consumo a solo 2 mW en modo inactivo, lo que lo convierte en una opción ideal para usuarios que buscan prolongar la duración de la batería en dispositivos portátiles.

Este SSD también soporta cifrado por hardware AES de 256 bits junto con los estándares TCG Opal e IEEE1667, ofreciendo una capa adicional de seguridad para datos sensibles. Su tiempo medio entre fallos de 1,5 millones de horas refleja un perfil de alta fiabilidad, adecuado tanto para usuarios cotidianos como para profesionales que requieren un rendimiento de almacenamiento confiable.

Ya sea que estés actualizando un portátil antiguo, montando un desktop compacto o buscando una unidad de arranque estable, el Samsung MZ-N5E250BW ofrece un equilibrio entre velocidad, eficiencia y seguridad en un formato compacto.

Características más importantes:

• Velocidades de lectura secuencial de hasta 540 MB/s y de escritura de hasta 500 MB/s
• Interfaz M.2 SATA III diseñada para integración en sistemas compactos
• Caché DRAM LPDDR3 de 512MB para un acceso más rápido a los datos
• Cifrado por hardware AES de 256 bits con soporte para TCG Opal e IEEE1667 para seguridad de datos
• Controlador MGX con modo de suspensión de dispositivo de 2 mW para reducir el consumo energético
• Arquitectura 3D V-NAND que mejora la densidad de almacenamiento y la durabilidad
• Tiempo medio entre fallos de 1,5 millones de horas para un funcionamiento fiable

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