Unidad de estado sólido Samsung PM9A3 de 960GB en formato de 2,5 pulgadas con interfaz PCIe 4.0 x4 y tecnología NVMe U.2
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Unidad de estado sólido Samsung PM9A3 de 960GB en formato de 2,5 pulgadas con interfaz PCIe 4.0 x4 y tecnología NVMe U.2
Description
El Samsung MZ-QL296000 es una unidad de estado sólido NVMe de 2.5 pulgadas que se conecta mediante una interfaz PCIe 4.0 x4 U.2, ofreciendo a los equipos de centros de datos una solución sencilla para añadir almacenamiento flash ultrarrápido a las bahías de servidores existentes. Con una capacidad de 960 GB, es ideal como volumen de arranque, capa de caché o espacio dedicado para conjuntos de datos activos que deben mantenerse cerca del CPU.
Impulsado por el controlador Elpis de Samsung y la memoria flash V-NAND TLC, el dispositivo alcanza velocidades de lectura secuencial de hasta 6 500 MB/s y velocidades de escritura secuencial de hasta 1 500 MB/s. Consultas a bases de datos, análisis a gran escala, migraciones de máquinas virtuales y flujos de entrega de contenido se benefician del alto rendimiento y la baja latencia que ofrece este hardware.
En entornos empresariales, la velocidad no es lo único importante, por eso el diseño del PM9A3 también se centra en la consistencia y la protección. La encriptación por hardware AES de 256 bits protege la información sensible sin afectar los recursos del host, y la protección integrada contra pérdida de energía ayuda a preservar los datos en tránsito en caso de cortes inesperados de energía. Una tasa MTBF de dos millones de horas y una garantía limitada de cinco años reflejan la confianza de Samsung en la fiabilidad a largo plazo.
Tanto si modernizas una flota de servidores existente como si construyes nuevos nodos que deben soportar un tráfico intenso, el Samsung PM9A3 ofrece la combinación de velocidad, seguridad y durabilidad que exigen las cargas de trabajo más exigentes.
Características más importantes:
- Factor de forma U.2 con conexión PCIe 4.0 x4 NVMe 1.4
- Capacidad de almacenamiento de 960 GB
- Velocidad de lectura secuencial de hasta 6 500 MB/s
- Velocidad de escritura secuencial de hasta 1 500 MB/s
- Memoria flash Samsung V-NAND TLC
- Encriptación por hardware AES de 256 bits
- Protección integrada contra pérdida de energía
- MTBF de dos millones de horas
- Garantía limitada de cinco años
El envío
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La garantía
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- No gestionamos ni administramos reclamaciones de garantía.
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- Los detalles de la garantía, incluyendo cobertura y duración, son determinados por el fabricante.
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