NVMe solid state drive uses PCIe Gen 4.0 x4 interface for high-bandwidth data transfer in compatible M.2 2280 slots.
Sequential read speeds reach up to 6,800 MB/s and write speeds up to 5,800 MB/s, reducing load times for large files and applications.
Random read performance achieves 760,000 IOPS and random write performance reaches 1,200,000 IOPS, supporting efficient multitasking and rapid file access.
TLC 3D NAND memory paired with a DRAM-less controller lowers power consumption, benefiting battery life in portable devices.
Endurance rating of 300 terabytes written ensures reliable long-term use under typical workloads.
M.2 2280 form factor fits standard slots in desktops, laptops, and gaming handhelds for straightforward installation.
Five-year limited warranty covers manufacturing defects and supports product longevity.
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Unidad de estado sólido Western Digital WD BLACK SN7100 de 500GB, con factor de forma M.2 2280 y interfaz PCIe Gen 4.0
Precio regular$79.00 USD
Precio regular$91.00 USDPrecio de venta$79.00 USD
Precio unitario/ por
Description
El SanDisk WDS500G4X0E-00CJA0 es una unidad de estado sólido NVMe de 500GB perteneciente a la serie WD BLACK SN7100, diseñada para instalarse en una ranura M.2 2280 y que se comunica mediante una interfaz PCIe Gen 4.0 x4. Esta combinación ofrece a equipos de escritorio modernos, portátiles para gaming y consolas portátiles un acceso directo a un almacenamiento de alta velocidad sin el desorden de cables adicionales o bahías para discos.
Las velocidades de transferencia secuencial alcanzan hasta 6,800 MB/s en lectura y 5,800 MB/s en escritura, lo que permite cargar archivos grandes de juegos, recursos de proyectos y datos del sistema operativo con una espera notablemente reducida. Cuando las tareas implican muchos archivos pequeños, la unidad puede manejar hasta 760 K IOPS en lectura aleatoria y 1,200 K IOPS en escritura aleatoria, manteniendo la navegación por grandes bibliotecas de fotos o el lanzamiento simultáneo de múltiples aplicaciones con una respuesta inmediata.
La memoria TLC 3D NAND se combina con un controlador sin DRAM que reduce el consumo de energía tanto en actividad como en reposo, un detalle que contribuye a prolongar la duración de la batería en portátiles delgados y dispositivos de juego portátiles. A pesar de su diseño de bajo consumo, la resistencia es sólida, con una capacidad de escritura de 300 TB durante la vida útil del disco, respaldada por una garantía limitada de cinco años.
Al respetar la longitud estándar de 80 mm para M.2, esta unidad es una actualización sencilla y directa para la mayoría de placas base y dispositivos portátiles. Los gamers pueden reducir los tiempos de carga de niveles, los creadores pueden transferir vídeos en alta resolución más rápido, y los usuarios cotidianos pueden darle a un sistema antiguo una sensación moderna y ágil sin necesidad de reconstruir todo el equipo.
Características más importantes:
Interfaz PCIe Gen 4.0 x4 NVMe que ofrece un alto ancho de banda
Velocidades secuenciales de hasta 6,800 MB/s en lectura y 5,800 MB/s en escritura
Rendimiento aleatorio de 760 K IOPS en lectura y 1,200 K IOPS en escritura
Resistencia de 300 TBW para un uso fiable a largo plazo
Arquitectura sin DRAM que ayuda a reducir el consumo energético
Factor de forma M.2 2280 compatible con ranuras estándar de escritorio y portátil
Garantía limitada de cinco años
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